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  • PDF文件頁(yè)數(shù):共10頁(yè)
  • 描述:HEXFET Power MOSFET
IRLZ34L技術(shù)規(guī)格
  • FET 類型:N 溝道
  • 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):30A(Tc)
  • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4V,5V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):35nC @ 5V
  • Vgs(最大值):±10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):1600pF @ 25V
  • 功率耗散(最大值):3.7W(Ta),88W(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):50 毫歐 @ 18A,5V
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:通孔
  • 供應(yīng)商器件封裝:TO-262-3
  • 封裝/外殼:TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA
  • 無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs
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