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  • 柒號芯城電子商務（深圳）有限公司認證

    13年

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    IRLZ30

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  • 深圳市坤融電子有限公司

    17年

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  • 深圳市安富世紀電子有限公司

    8年

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  • 深圳市春東電子有限公司

    8年

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  • 深圳誠思涵科技有限公司

    10年

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  • 深圳市賽美科科技有限公司

    13年

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  • 深圳市芯世界半導體有限公司

    10年

    13267088774(微信同號)Sam深圳市福田區(qū)華強電子世界1號樓10A8240主營品牌：TI/德州儀器、ST/意法、MICROCHIP/微芯、ADI/亞德諾、ALLEGRO/雅麗高、NXP/恩智浦、ON/安森美、RENESAS/瑞薩、ROHM/羅姆、ALTERA/阿爾特拉、CYPRESS/賽普拉斯、INFINEON/英飛凌、ISS01011808

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IRLZ34 PDF資料
  • 資料下載
  • 制造商：PHILIPS[NXP Semiconductors]
  • PDF文件大?。?2.94 Kbytes
  • PDF文件頁數(shù)：共7頁
  • 描述：N-channel enhancement mode Logic level TrenchMOS transistor
IRLZ34技術(shù)規(guī)格
  • FET 類型：N 溝道
  • 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）：60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：30A（Tc）
  • 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，5V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：35nC @ 5V
  • Vgs（最大值）：±10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：1600pF @ 25V
  • 功率耗散（最大值）：88W（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：50 毫歐 @ 18A，5V
  • 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型：通孔
  • 供應商器件封裝：TO-220AB
  • 封裝/外殼：TO-220-3
  • 無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs
購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r信息：(3分鐘左右您將得到回復)
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