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  • 柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司認(rèn)證

    13年

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  • 深圳市坤融電子有限公司

    17年

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  • 深圳市安富世紀(jì)電子有限公司

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  • 集好芯城

    17年

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  • 深圳市百域芯科技有限公司

    11年

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  • 深圳市芯冪科技有限公司

    10年

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  • 深圳市微碧半導(dǎo)體有限公司

    4年

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IRLR8503 PDF資料
  • 資料下載
  • 制造商：IRF[International Rectifier]
  • PDF文件大?。?01.92 Kbytes
  • PDF文件頁數(shù)：共8頁
  • 描述：HEXFET MOSFET for DC-DC Converters
IRLR8503技術(shù)規(guī)格
  • 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊：Discrete Power MOSFETs 40V and Below
  • 設(shè)計(jì)資源：IRLR8503 Saber Model IRLR8503 Spice Model
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：75
  • 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭：FET - 單
  • 系列：HEXFET®
  • 包裝：管件
  • FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能：邏輯電平門
  • 漏源極電壓（Vdss）：30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：44A（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：16 毫歐 @ 15A，10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：20nC @ 5V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：1650pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：62W
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
  • 供應(yīng)商器件封裝：D-Pak
  • 其它名稱：*IRLR8503
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