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IRLR120NTRR PDF資料
  • 資料下載
  • 制造商:Infineon Technologies
  • PDF文件大小:179.28 Kbytes
  • PDF文件頁數(shù):共11頁
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
IRLR120NTRR技術規(guī)格
  • 設計資源:IRLR120NTRPBF Saber Model IRLR120NTRPBF Spice Model
  • 標準包裝:3,000
  • 類別:分立半導體產(chǎn)品
  • 家庭:FET - 單
  • 系列:HEXFET®
  • 包裝:帶卷(TR)
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:邏輯電平門
  • 漏源極電壓(Vdss):100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):10A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):185 毫歐 @ 6A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):20nC @ 5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):440pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:48W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
  • 供應商器件封裝:D-Pak
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