�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r(sh��)��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖(h��o)
- Ʒ��
- ���b
- ��̖(h��o)
- ��攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ�r(ji��)
-
������о����댧(d��o)�w����˾
10��
13267088774(��̖ͬ(h��o))Sam�����и���^(q��)�A��(qi��ng)�������1̖(h��o)��10A8240���IƷ�ƣ�TI/���݃x����ST/�ⷨ��MICROCHIP/о��ADI/�����Z��ALLEGRO/��������NXP/��������ON/��ɭ����RENESAS/���_��ROHM/�_ķ��ALTERA/����������CYPRESS/ِ����˹��INFINEON/Ӣ�w�衢ISS01011808
-
IRG4RC10UDTR
��7�l������̖(h��o)��Ϣ
- IR��
- TO-252��
- 18+��
- 6520��
- ԭ�b��Ʒ��
-


IRG4RC10UDTRLP PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�Infineon Technologies
- PDF�������368.79 Kbytes
- PDF�ļ�퓔�(sh��)����3�
- ������IGBT 600 V 8.5 A 38 W �����N�b�� D-Pak
IRG4RC10UDTRLP���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- �a(ch��n)Ʒ��Ӗ(x��n)ģ�K��IGBT Primer Device and Applications High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
- �O(sh��)Ӌ(j��)�YԴ��IRG4RC10UD Saber Model IRG4RC10UD Spice Model
- ��(bi��o)��(zh��n)���b��3,000
- e�������댧(d��o)�w�a(ch��n)Ʒ
- ��ͥ��IGBT - ��·
- ϵ�У�-
- ���b��������TR��
- IGBT ��ͣ�-
- 늉� - ����O���������ֵ����600V
- ��� - ��늘O��Ic�������ֵ����8.5A
- �}�_��� - ��늘O (Icm)��34A
- ��ͬ?Vge��Ic �r(sh��)��?Vce��on����2.6V @ 15V��5A
- ���� - ���ֵ��38W
- �_�P(gu��n)������140µJ���_����120µJ���P(gu��n)��
- ݔ����ͣ���(bi��o)��(zh��n)
- �ŘO늺ɣ�15nC
- 25��C �r(sh��) Td���_/�P(gu��n)��ֵ��40ns/87ns
- �y(c��)ԇ�l����480V��5A��100 �Wķ��15V
- ����֏�(f��)�r(sh��)�g��trr����28ns
- ���b/�⚤��TO-252-3��DPak��2 ����+��Ƭ����SC-63
- ���b��ͣ������N�b
- ����(y��ng)���������b��D-Pak
- �������Q��IRG4RC10UDTRLP-NDIRG4RC10UDTRLPTR
ُ�I����ԃ�a(ch��n)ƷՈ(q��ng)?zh��)ԃ�r(ji��)��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
IRG4RC10UDTR���P(gu��n)��̖(h��o)