�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖
- Ʒ��
- ���b
- ��̖
- ��攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ�r(ji��)
-
��̖о������̄�(w��)�����ڣ�����˾
13��
0755-8366305618922805453��18929374037��18922803401�B0755-82537787�����и���^(q��)�A��(qi��ng)��·1019̖�A��(qi��ng)�V��D��23��11016516
-
-
-
-
�����ջ�
-
������о����댧(d��o)�w����˾
10��
13267088774(��̖ͬ)Sam�����и���^(q��)�A��(qi��ng)�������1̖��10A8240���IƷ�ƣ�TI/���݃x����ST/�ⷨ��MICROCHIP/о��ADI/�����Z��ALLEGRO/��������NXP/��������ON/��ɭ����RENESAS/���_��ROHM/�_ķ��ALTERA/����������CYPRESS/ِ����˹��INFINEON/Ӣ�w�衢ISS01011808
-
IRG4PH40UDE
- IR��
- TO-3P��
- 18+��
- 6520��
- ԭ�b��Ʒ��
-


-
������о����댧(d��o)�w����˾
10��
13267088774(��̖ͬ)Sam�����и���^(q��)�A��(qi��ng)�������1̖��10A8240���IƷ�ƣ�TI/���݃x����ST/�ⷨ��MICROCHIP/о��ADI/�����Z��ALLEGRO/��������NXP/�����֡�ON/��ɭ����RENESAS/���_��ROHM/�_ķ��ALTERA/����������CYPRESS/ِ����˹��INFINEON/Ӣ�w����ISS01011808
-
IRG4PH40UD2PBF
- IR��
- TO-247��
- 18+��
- 6520��
- ԭ�b��Ʒ��
-


IRG4PH40UD2-EP PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�IRF[International Rectifier]
- PDF�������240.21 Kbytes
- PDF�ļ�퓔�(sh��)����11�
- ������INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PH40UD2-EP���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- �a(ch��n)Ʒ��Ӗ(x��n)ģ�K��IGBT Primer Device and Applications High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
- ��(bi��o)��(zh��n)���b��25
- e�������댧(d��o)�w�a(ch��n)Ʒ
- ��ͥ��IGBT - ��·
- ϵ�У�-
- ���b��ɢ�b
- IGBT ��ͣ�-
- 늉� - ����O���������ֵ����1200V
- ��� - ��늘O��Ic�������ֵ����41A
- �}�_��� - ��늘O (Icm)��82A
- ��ͬ?Vge��Ic �r��?Vce��on����3.1V @ 15V��21A
- ���� - ���ֵ��160W
- �_�P(gu��n)������1.95mJ���_����1.71mJ���P(gu��n)��
- ݔ����ͣ���(bi��o)��(zh��n)
- �ŘO늺ɣ�100nC
- 25��C �r Td���_/�P(gu��n)��ֵ��22ns/100ns
- �yԇ�l����800V��21A��10 �Wķ��15V
- ����֏�(f��)�r�g��trr����50ns
- ���b/�⚤��TO-247-3
- ���b��ͣ�ͨ��
- ����(y��ng)���������b��TO-247AD
- �������Q��*IRG4PH40UD2-EPIRG4PH40UD2EP
ُ�I����ԃ�a(ch��n)ƷՈ?zh��)ԃ�r(ji��)��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
IRG4PH40UD2EP���P(gu��n)��̖