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柒號芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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IRG4IBC30SPBF PDF資料
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- 制造商：IRF[International Rectifier]
- PDF文件大小：239.44 Kbytes
- PDF文件頁數(shù)：共8頁
- 描述：INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4IBC30SPBF技術(shù)規(guī)格
- 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊：IGBT Primer Device and Applications High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：50
- 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
- 家庭：IGBT - 單路
- 系列：-
- 包裝：管件
- IGBT 類型：-
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流 - 集電極（Ic）（最大值）：23.5A
- 脈沖電流 - 集電極 (Icm)：47A
- 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）：1.6V @ 15V，18A
- 功率 - 最大值：45W
- 開關(guān)能量：260µJ（開），3.45mJ（關(guān)）
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：50nC
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：22ns/540ns
- 測試條件：480V，18A，23 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時間（trr）：-
- 封裝/外殼：TO-220-3 整包
- 安裝類型：通孔
- 供應(yīng)商器件封裝：TO-220AB 整包
- 其它名稱：*IRG4IBC30SPBF
購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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