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  • 深圳市芯世界半導(dǎo)體有限公司

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IRFZ48RSPBF PDF資料
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  • 制造商：IRF[International Rectifier]
  • PDF文件大?。?55.82 Kbytes
  • PDF文件頁數(shù)：共10頁
  • 描述：HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(on) = 0.018?? , ID = 50A )
IRFZ48RSPBF技術(shù)規(guī)格
  • FET類型：N 溝道
  • 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
  • 電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）：50A（Tc）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
  • 不同Vgs時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：110nC @ 10V
  • 不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：2400pF @ 25V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 功率耗散（最大值）：190W（Tc）
  • 不同?Id，Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：18 毫歐 @ 43A，10V
  • 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
  • 封裝形式Package：D2PAK
  • 極性Polarity：N-CH
  • 漏源極擊穿電壓VDSS：60V
  • 連續(xù)漏極電流ID：50A
  • 無鉛情況/RoHs：否
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