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  • PDF文件頁數(shù):共8頁
  • 描述:ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY
IRFZ46NPBF技術(shù)規(guī)格
  • 封裝/外殼:TO220
  • FET 類型:N 溝道
  • 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):55V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):53A(Tc)
  • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):16.5 毫歐 @ 28A,10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):72nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):1696pF @ 25V
  • 功率耗散(最大值):107W(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:通孔
  • 系列:HEXFET?
  • FET類型:N 溝道
  • 電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):53A(Tc)
  • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
  • 不同Vgs時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):72nC @ 10V
  • 不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):1696pF @ 25V
  • 不同?Id,Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):16.5 毫歐 @ 28A,10V
  • 封裝形式Package:TO-220AB
  • 極性Polarity:N-CH
  • 漏源極擊穿電壓VDSS:55V
  • 連續(xù)漏極電流ID:53A
  • 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB
  • 無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs
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