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    13267088774(微信同號)Sam深圳市福田區(qū)華強電子世界1號樓10A8240主營品牌:TI/德州儀器、ST/意法、MICROCHIP/微芯、ADI/亞德諾、ALLEGRO/雅麗高、NXP/恩智浦、ON/安森美、RENESAS/瑞薩、ROHM/羅姆、ALTERA/阿爾特拉、CYPRESS/賽普拉斯、INFINEON/英飛凌、ISS01011808

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  • 制造商:VISHAY[Vishay Siliconix]
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  • PDF文件頁數(shù):共9頁
  • 描述:Power MOSFET
IRFZ34E技術(shù)規(guī)格
  • 設(shè)計資源:IRFZ34E Saber Model IRFZ34E Spice Model
  • 標準包裝:50
  • 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭:FET - 單
  • 系列:HEXFET®
  • 包裝:管件
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:標準
  • 漏源極電壓(Vdss):60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):28A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):42 毫歐 @ 17A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):30nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):680pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:68W
  • 安裝類型:通孔
  • 封裝/外殼:TO-220-3
  • 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB
  • 其它名稱:*IRFZ34E
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