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    13267088774(微信同號)Sam深圳市福田區(qū)華強(qiáng)電子世界1號樓10A8240主營品牌:TI/德州儀器、ST/意法、MICROCHIP/微芯、ADI/亞德諾、ALLEGRO/雅麗高、NXP/恩智浦、ON/安森美、RENESAS/瑞薩、ROHM/羅姆、ALTERA/阿爾特拉、CYPRESS/賽普拉斯、INFINEON/英飛凌、ISS01011808

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IRFR120TRLPBF PDF資料
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  • 制造商:VISHAY[Vishay Siliconix]
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  • PDF文件頁數(shù):共8頁
  • 描述:IRFR120
IRFR120TRLPBF技術(shù)規(guī)格
  • FET類型:N 溝道
  • 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
  • 電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):7.7A(Tc)
  • 驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id時的Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
  • 不同Vgs時的柵極電荷?(Qg)(最大值):16nC @ 10V
  • 不同Vds時的輸入電容(Ciss)(最大值):360pF @ 25V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 功率耗散(最大值):2.5W(Ta),42W(Tc)
  • 不同?Id,Vgs時的?RdsOn(最大值):270 毫歐 @ 4.6A,10V
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
  • 封裝形式Package:TO-252-3
  • 極性Polarity:N-CH
  • 漏源極擊穿電壓VDSS:100V
  • 連續(xù)漏極電流ID:7.7A
  • 漏源極導(dǎo)通電阻RDS(ON):270mOhms
  • 無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs
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