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    0755-8257321018124040553楊丹妮0755-82573210深圳市福田區(qū)中航路都會(huì)軒240611012658

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    0755-2390318013360063783楊先生深圳市福田區(qū)深南中路3023號(hào)漢國(guó)中心55樓11010804

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    13267088774 (微信同號(hào))Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號(hào)華融大廈240511012790

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  • 深圳市瑞浩芯科技有限公司

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    0755-84875764”13725596657“17503034873曾先生深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)501棟110311012598

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  • 深圳市芯世界半導(dǎo)體有限公司

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    13267088774(微信同號(hào))Sam深圳市福田區(qū)華強(qiáng)電子世界1號(hào)樓10A8240主營(yíng)品牌:TI/德州儀器、ST/意法、MICROCHIP/微芯、ADI/亞德諾、ALLEGRO/雅麗高、NXP/恩智浦、ON/安森美、RENESAS/瑞薩、ROHM/羅姆、ALTERA/阿爾特拉、CYPRESS/賽普拉斯、INFINEON/英飛凌、ISS01011808

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IRFH3707TRPBF PDF資料
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  • PDF文件頁(yè)數(shù):共10頁(yè)
  • 描述:Applications
IRFH3707TRPBF技術(shù)規(guī)格
  • 封裝/外殼:PQFN 3X3 8L
  • FET 類型:N 溝道
  • 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):12A(Ta),29A(Tc)
  • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):12.4 毫歐 @ 12A,10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.35V @ 25μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):8.1nC @ 4.5V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):755pF @ 15V
  • 功率耗散(最大值):2.8W(Ta)
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 系列:HEXFET?
  • FET類型:N 溝道
  • 電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):12A(Ta),29A(Tc)
  • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
  • 不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):2.35V @ 25μA
  • 不同Vgs時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):8.1nC @ 4.5V
  • 不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):755pF @ 15V
  • 不同?Id,Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):12.4 毫歐 @ 12A,10V
  • 封裝形式Package:PQFN
  • 極性Polarity:N-CH
  • 漏源極擊穿電壓VDSS:30V
  • 連續(xù)漏極電流ID:12A
  • 供應(yīng)商器件封裝:8-PQFN(3x3)
  • 無(wú)鉛情況/RoHs:無(wú)鉛/符合RoHs
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