�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r(sh��)��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖
- Ʒ��
- ���b
- ��̖
- ��攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ�r(ji��)
-
��̖о������̄�(w��)�����ڣ�����˾
13��
0755-8366305618922805453��18929374037��18922803401�B0755-82537787�����и���^(q��)�A��(qi��ng)��·1019̖�A��(qi��ng)�V��D��23��11016516
-
-
-
-
�����ջ�
IRF640NSTRRPBF PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�Infineon / IR
- PDF�������337.76 Kbytes
- PDF�ļ�퓔�(sh��)����11�
- ������MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 150mOhms 44.7nC
IRF640NSTRR���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- ��(bi��o)��(zh��n)���b800
- e���xʽ�댧(d��o)�w�a(ch��n)Ʒ
- ��ͥFET - ��·
- ϵ��HEXFET®
- FET ��MOSFET N ͨ��������������
- FET ���c(di��n)��(bi��o)��(zh��n)��
- �_�B(t��i)Rds�����@ Id, Vgs @ 25° C150 ���W @ 11A, 10V
- ©�O��Դ�O늉�(Vdss)200V
- ��� - �B�m(x��)©�O(Id) @ 25° C18A
- Id �r(sh��)�� Vgs(th)�����4V @ 250µA
- �l늺�(Qg) @ Vgs67nC @ 10V
- �� Vds �r(sh��)��ݔ�����(Ciss)1160pF @ 25V
- ���� - ���150W
- ���b��������N�b
- ���b/�⚤TO-263-3, D²Pak (2 ����+��Ƭ), TO-263AB
- ����(y��ng)���O(sh��)����bD2PAK
- ���b���� (TR)
ُ�I����ԃ�a(ch��n)ƷՈ?zh��)ԃ�r(ji��)��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
IRF640NSTRR���P(gu��n)��̖