�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖
- Ʒ��
- ���b
- ��̖
- ��攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ�r
-
��̖о������̄�(w��)�����ڣ�����˾
13��
0755-8366305618922805453��18929374037��18922803401�B0755-82537787�����и���^(q��)�A��(qi��ng)��·1019̖�A��(qi��ng)�V��D��23��11016516
-
-
-
-
�����ջ�
IPW65R190CFDA PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�INFINEON[Infineon Technologies AG]
- PDF�������2197.85 Kbytes
- PDF�ļ�퓔�(sh��)����16�
- ������Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
IPW65R190CFDA���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- ������:Infineon
- �a(ch��n)Ʒ�N�:MOSFET
- RoHS:��
- ���g(sh��):Si
- ���b�L(f��ng)��:Through Hole
- ���b / ���w:TO-247-3
- ͨ����(sh��)��:1 Channel
- ���w�ܘO��:N-Channel
- Vds-©Դ�O����늉�:650 V
- Id-�B�m(x��)©�O���:17.5 A
- Rds On-©Դ��(d��o)ͨ���:171 mOhms
- Vgs th-��Դ�O�ֵ늉�:3.5 V
- Vgs - �ŘO-Դ�O늉�:20 V
- Qg-�ŘO늺�:68 nC
- ��С�����ض�:- 40 C
- ������ض�:+ 150 C
- Pd-���ʺ�ɢ:151 W
- ����:Single
- ͨ��ģʽ:Enhancement
- �̘�(bi��o)��:CoolMOS
- ���b:Tube
- �߶�:21.1 mm
- �L��:16.13 mm
- ϵ��:CoolMOS CFDA
- ���w�����:1 N-Channel
- ����:5.21 mm
- �̘�(bi��o):Infineon Technologies
- �½��r�g:6.4 ns
- �a(ch��n)Ʒ���:MOSFET
- �����r�g:8.4 ns
- ���S���b��(sh��)��:240
- ��e:MOSFETs
- �����P(gu��n)�]���t�r�g:53.2 ns
- ���ͽ�ͨ���t�r�g:12 ns
- ���̖�e��:IPW65R190CFDAFKSA1 IPW65R19CFDAXK SP000928268
- �����:6 g
ُ�I����ԃ�a(ch��n)ƷՈ?zh��)ԃ�r��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
IPW65R190CFDA���P(gu��n)��̖