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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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IPSH4N03LA PDF資料
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- 制造商:INFINEON[Infineon Technologies AG]
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- 描述:OPTIMOS 2 POWER - TRANSISTOR
IPSH4N03LA G技術(shù)規(guī)格
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500
- 類(lèi)別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
- 家庭:FET - 單
- 系列:OptiMOS??
- 包裝:管件
- FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET 功能:邏輯電平門(mén)
- 漏源極電壓(Vdss):25V
- 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):90A(Tc)
- 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):4.4 毫歐 @ 60A,10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 40µA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):26nC @ 5V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3200pF @ 15V
- 功率 - 最大值:94W
- 安裝類(lèi)型:通孔
- 封裝/外殼:TO-251-3 短引線(xiàn),IPak,TO-251AA
- 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO251-3
- 其它名稱(chēng):IPSH4N03LAGXSP000016331
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IPSH1036R8N-10相關(guān)型號(hào)