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柒號芯城電子商務（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
IPP80P03P4L-04(4P03L04)
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IPP80P03P4L04AKSA1 PDF資料
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- 制造商：Infineon Technologies
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- PDF文件頁數：共9頁
- 描述：MOSFET P-Ch -30V 80A TO220-3 OptiMOS-P2
IPP80P03P4L04AKSA1技術規(guī)格
- FET 類型：P 溝道
- 技術：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：30V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：80A（Tc）
- 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 253μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：160nC
- 電壓，耦合至柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs：10V
- Vgs（最大值）：+5V，-16V
- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：11300pF
- 電壓，耦合至輸入電容（Ciss）（最大） @ Vds：25V
- 功率耗散（最大值）：137W（Tc）
- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：4.4毫歐 @ 80A，10V
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 供應商器件封裝：PG-TO220-3-1
- 封裝/外殼：PG-TO220-3
- 通道類型：P
- 最大連續(xù)漏極電流：80 A
- 最大漏源電壓：30 V
- 最大漏源電阻值：7 m0hms
- 最大柵閾值電壓：2V
- 最小柵閾值電壓：1V
- 最大柵源電壓：-16 V，+5 V
- 封裝類型：TO-220
- 引腳數目：3
- 晶體管配置：單
- 通道模式：增強
- 類別：功率 MOSFET
- 最大功率耗散：137 W
- 長度：10mm
- 尺寸：10 x 4.4 x 15.65mm
- 晶體管材料：Si
- 典型柵極電荷@Vgs：125 nC @ 10 V
- 典型輸入電容值@Vds：8670 pF @ -25 V
- 典型關斷延遲時間：140 ns
- 典型接通延遲時間：17 ns
- 寬度：4.4mm
- 系列：OptiMOS P
- 高度：15.65mm
- 每片芯片元件數目：1
- 最低工作溫度：-55 °C
- 最高工作溫度：+175 °C
- 無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs
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