�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r(sh��)��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖(h��o)
- Ʒ��
- ���b
- ��̖(h��o)
- ��(k��)�攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ�r(ji��)
-
��̖(h��o)о������̄�(w��)�����ڣ�����˾
13��
0755-8366305618922805453��18929374037��18922803401�B0755-82537787�����и���^(q��)�A��(qi��ng)��·1019̖(h��o)�A��(qi��ng)�V��(ch��ng)D��23��11016516
IPI100N06S3L-04
���
ֱͨ܇(ch��)
-
-
-
-
�����ջ�
-
������о����댧(d��o)�w����˾
10��
13267088774(��̖ͬ(h��o))Sam�����и���^(q��)�A��(qi��ng)�������1̖(h��o)��10A8240���I(y��ng)Ʒ�ƣ�TI/���݃x����ST/�ⷨ��MICROCHIP/о��ADI/�����Z��ALLEGRO/�����ߡ�NXP/��������ON/��ɭ����RENESAS/���_��ROHM/�_ķ��ALTERA/����������CYPRESS/ِ����˹��INFINEON/Ӣ�w����ISS01011808
-
IPI100N06S3L-04
- Infineon Technologies��
- ԭ�Sԭ����
- 19+��
- 5660��
- ֻ��ԭ�b��
-


IPI100N06S3L-04 PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�INFINEON[Infineon Technologies AG]
- PDF�ļ���С��166.6 Kbytes
- PDF��(y��)��(sh��)����8�(y��)
- ������OptiMOS-T Power-Transistor
IPI100N06S3L-04���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- ��(bi��o)��(zh��n)���b��500
- �(l��i)�e�������댧(d��o)�w�a(ch��n)Ʒ
- ��ͥ��FET - ��
- ϵ�У�OptiMOS??
- ���b���ܼ�
- FET �(l��i)�ͣ�MOSFET N ͨ��������������
- FET ���ܣ�߉�ƽ�T(m��n)
- ©Դ�O늉���Vdss����55V
- ��� - �B�m(x��)©�O��Id����25��C �r(sh��)����100A��Tc��
- ��ͬ?Id��Vgs �r(sh��)��?Rds On�����ֵ����3.8 ���W @ 80A��10V
- ��ͬ Id �r(sh��)�� Vgs��th�������ֵ����2.2V @ 150µA
- ��ͬ Vgs �r(sh��)�ĖŘO늺ɣ�Qg����362nC @ 10V
- ��ͬ Vds �r(sh��)��ݔ����ݣ�Ciss����17270pF @ 25V
- ���� - ���ֵ��214W
- ���b�(l��i)�ͣ�ͨ��
- ���b/�⚤��TO-262-3���L(zh��ng)������I²Pak��TO-262AA
- ����(y��ng)���������b��PG-TO262-3
- �������Q(ch��ng)��IPI100N06S3L-04-NDIPI100N06S3L-04INIPI100N06S3L04XIPI100N06S3L04XKSP000102211
ُ(g��u)�I(m��i)����ԃ�a(ch��n)ƷՈ(q��ng)?zh��)�?xi��)ԃ�r(ji��)��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
IPI100N06S3L-04���P(gu��n)��̖(h��o)