�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖
- Ʒ��
- ���b
- ��̖
- ��攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ�r
-
��̖о������̄�(w��)�����ڣ�����˾
13��
0755-8366305618922805453��18929374037��18922803401�B0755-82537787�����и���^(q��)�A��(qi��ng)��·1019̖�A��(qi��ng)�V��D��23��11016516
IPI032N06N3G(032N06N)
���
ֱͨ܇
-
-
-
-
�����ջ�
-
������о����댧(d��o)�w����˾
10��
13267088774(��̖ͬ)Sam�����и���^(q��)�A��(qi��ng)�������1̖��10A8240���IƷ�ƣ�TI/���݃x����ST/�ⷨ��MICROCHIP/о��ADI/�����Z��ALLEGRO/��������NXP/��������ON/��ɭ����RENESAS/���_��ROHM/�_ķ��ALTERA/����������CYPRESS/ِ����˹��INFINEON/Ӣ�w����ISS01011808
-
IPI032N06N3GAKSA1
- Infineon Technologies��
- ԭ�b��
- 2019+��
- 500��
- ԭ�b��Ʒ��
-


IPI032N06N3GAKSA1 PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�INFINEON[Infineon Technologies AG]
- PDF�ļ���С��1004.84 Kbytes
- PDF�ļ�퓔�(sh��)����11�
- ������OptiMOSa?��3 Power-Transistor
IPI032N06N3GAKSA1���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- ������:Infineon
- �a(ch��n)Ʒ�N�:MOSFET
- RoHS:��
- ���g(sh��):Si
- ���b�L(f��ng)��:Through Hole
- ���b / ���w:TO-262-3
- ͨ����(sh��)��:1 Channel
- ���w�ܘO��:N-Channel
- Vds-©Դ�O����늉�:60 V
- Id-�B�m(x��)©�O���:120 A
- Rds On-©Դ��(d��o)ͨ���:2.3 mOhms
- Vgs th-��Դ�O�ֵ늉�:2 V
- Vgs - �ŘO-Դ�O늉�:20 V
- Qg-�ŘO늺�:165 nC
- ��С�����ض�:- 55 C
- ������ض�:+ 175 C
- Pd-���ʺ�ɢ:188 W
- ����:Single
- ͨ��ģʽ:Enhancement
- �̘�(bi��o)��:OptiMOS
- ���b:Tube
- �߶�:9.45 mm
- �L��:10.2 mm
- ϵ��:OptiMOS 3
- ���w�����:1 N-Channel
- ����:4.5 mm
- �̘�(bi��o):Infineon Technologies
- ����猧(d��o) - ��Сֵ:75 S
- �½��r�g:20 ns
- �a(ch��n)Ʒ���:MOSFET
- �����r�g:120 ns
- ���S���b��(sh��)��:500
- ��e:MOSFETs
- �����P(gu��n)�]���t�r�g:62 ns
- ���ͽ�ͨ���t�r�g:35 ns
- ���̖�e��:G IPI032N06N3 IPI32N6N3GXK SP000680650
- �����:2.387 g
ُ�I����ԃ�a(ch��n)ƷՈ?zh��)ԃ�r��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
IPI032N06N3G(032N06N)���P(gu��n)��̖