�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r(sh��)��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖(h��o)
- Ʒ��
- ���b
- ��̖(h��o)
- ��攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ�r(ji��)
-
��̖(h��o)о������̄�(w��)�����ڣ�����˾
13��
0755-8366305618922805453��18929374037��18922803401�B0755-82537787�����и���^(q��)�A��(qi��ng)��·1019̖(h��o)�A��(qi��ng)�V��(ch��ng)D��23��11016516
-
-
-
-
�����ջ�
IPD50P04P4-13 PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�INFINEON[Infineon Technologies AG]
- PDF�ļ�������153.82 Kbytes
- PDF�ļ�퓔�(sh��)����9�
- ������OptiMOS-P2 Power-Transistor
IPD50P04P4-13���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- ������:Infineon
- �a(ch��n)Ʒ�N�:MOSFET
- RoHS:��
- ���g(sh��):Si
- ���b�L(f��ng)��:SMD/SMT
- ���b / ���w:TO-252-3
- ͨ����(sh��)��:1 Channel
- ���w�ܘO��:P-Channel
- Vds-©Դ�O����늉�:40 V
- Id-�B�m(x��)©�O���:50 A
- Rds On-©Դ��(d��o)ͨ���:12.6 mOhms
- Vgs th-��Դ�O�ֵ늉�:2 V
- Vgs - �ŘO-Դ�O늉�:10 V
- Qg-�ŘO늺�:39 nC
- ��С�����ض�:- 55 C
- ������ض�:+ 175 C
- Pd-���ʺ�ɢ:58 W
- ����:Single
- ͨ��ģʽ:Enhancement
- �Y��:AEC-Q101
- �̘�(bi��o)��:OptiMOS
- ���b:Cut Tape
- ���b:MouseReel
- ���b:Reel
- �߶�:2.3 mm
- �L��:6.5 mm
- ϵ��:OptiMOS-P2
- ���w�����:1 P-Channel
- ����:6.22 mm
- �̘�(bi��o):Infineon Technologies
- �½��r(sh��)�g:28 ns
- �a(ch��n)Ʒ���:MOSFET
- �����r(sh��)�g:10 ns
- ���S���b��(sh��)��:2500
- ��e:MOSFETs
- �����P(gu��n)�]���t�r(sh��)�g:22 ns
- ���ͽ�ͨ���t�r(sh��)�g:17 ns
- ���̖(h��o)�e��:IPD50P04P413ATMA1 IPD5P4P413XT SP000840204
- �����:4 g
ُ�I����ԃ�a(ch��n)ƷՈ(q��ng)?zh��)ԃ�r(ji��)��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
IPD50P04P04-11���P(gu��n)��̖(h��o)
![P(gun)]](/imgs/dlgclose.gif "P(gun)]")
