�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r(sh��)��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖(h��o)
- Ʒ��
- ���b
- ��̖(h��o)
- ��(k��)�攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ(x��n)�r(ji��)
-
��̖(h��o)о������̄�(w��)�����ڣ�����˾
13��
0755-8366305618922805453��18929374037��18922803401�B0755-82537787�����и���^(q��)�A��(qi��ng)��·1019̖(h��o)�A��(qi��ng)�V��(ch��ng)D��23��11016516
IPD50P03P4L11(4P03L11)
���
ֱͨ܇(ch��)-
-
-
-
�����ջ�
IPD50P03P4L11ATMA1 PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�Infineon Technologies
- PDF�ļ�������159.56 Kbytes
- PDF�ļ��(y��)��(sh��)����9�(y��)
- ������MOSFET P-CH 30V 50A TO252-3
IPD50P03P4L11ATMA1���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- FET �(l��i)�ͣ�P �ϵ�
- ���g(sh��)��MOSFET�����������
- ©Դ늉���Vdss����30V
- ��� - �B�m(x��)©�O��Id����25��C �r(sh��)����50A��Tc��
- ��ͬ Id �r(sh��)�� Vgs��th�������ֵ����2V @ 85��A
- ��ͬ Vgs �r(sh��)�ĖŘO늺�?��Qg�������ֵ����55nC @ 10V
- ��ͬ Vds �r(sh��)��ݔ����ݣ�Ciss�������ֵ����3770pF @ 25V
- ���ʺ�ɢ�����ֵ����58W��Tc��
- ��ͬ?Id��Vgs �r(sh��)��?Rds On�����ֵ����10.5 ���W @ 50A��10V
- �����ضȣ�-55��C ~ 175��C��TJ��
- ���b�(l��i)�ͣ������N�b
- ����(y��ng)���������b��PG-TO252-3
- ���b/�⚤��PG-TO252-3
- �(q��)��(d��ng)늉������ Rds On����С Rds On����4.5V��10V
- Vgs�����ֵ����+5V��-16V
- ͨ���(l��i)�ͣ�P
- ����B�m(x��)©�O�����50 A
- ���©Դ늉���30 V
- ���©Դ���ֵ��18 m0hms
- �����ֵ늉���2V
- ��С���ֵ늉���1V
- ����Դ늉���-16 V��+5 V
- ���b�(l��i)�ͣ�DPAK (TO-252)
- ���_��(sh��)Ŀ��3
- ���w�������
- ͨ��ģʽ������(qi��ng)
- �(l��i)�e������ MOSFET
- ����ʺ�ɢ��58 W
- �߶ȣ�2.3mm
- ÿƬоƬԪ����(sh��)Ŀ��1
- �ߴ磺6.5 x 6.22 x 2.3mm
- ���ȣ�6.22mm
- ϵ�У�OptiMOS P
- ���w�ܲ��ϣ�Si
- ���͖ŘO늺�@Vgs��42 nC @ 10 V
- ����ݔ�����ֵ@Vds��2900 pF @ -25 V
- �����P(gu��n)�����t�r(sh��)�g��45 ns
- ���ͽ�ͨ���t�r(sh��)�g��7 ns
- ������ضȣ�-55 ��C
- ��߹����ضȣ�+175 ��C
- �L(zh��ng)�ȣ�6.5mm
- �o(w��)�U��r/RoHs���o(w��)�U/����RoHs
ُ(g��u)�I(m��i)����ԃ(x��n)�a(ch��n)ƷՈ(q��ng)?zh��)�?xi��)ԃ(x��n)�r(ji��)��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
IPD50P03P4L11(4P03L11)���P(gu��n)��̖(h��o)
![P(gun)]](/imgs/dlgclose.gif "P(gun)]")
