�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r(sh��)��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖(h��o)
- Ʒ��
- ���b
- ��̖(h��o)
- ��攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ�r(ji��)
-
��̖(h��o)о������̄�(w��)�����ڣ�����˾
13��
0755-8366305618922805453��18929374037��18922803401�B0755-82537787�����и���^(q��)�A��(qi��ng)��·1019̖(h��o)�A��(qi��ng)�V��(ch��ng)D��23��11016516
-
-
-
-
�����ջ�
IPB60R099CP PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�INFINEON[Infineon Technologies AG]
- PDF�������324.07 Kbytes
- PDF�ļ�퓔�(sh��)����10�
- ������CoolMOS Power Transistor
IPB60R099CP���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- ��ͬ Vds �r(sh��)��ݔ����ݣ�Ciss�������ֵ����2800pF @ 100V
- Vgs�����ֵ������20V
- ���ʺ�ɢ�����ֵ����255W��Tc��
- ��ͬ?Id��Vgs �r(sh��)��?Rds On�����ֵ����99 ���W @ 18A��10V
- �����ضȣ�-55��C ~ 150��C��TJ��
- ���b��ͣ������N�b
- ���b/�⚤��PG-TO263-3
- FET ��ͣ�N �ϵ�
- ���g(sh��)��MOSFET�����������
- ©Դ�O늉���Vdss����600V
- ��� - �B�m(x��)©�O��Id����25��C �r(sh��)����31A��Tc��
- �(q��)��(d��ng)늉������ Rds On����С Rds On����10V
- ��ͬ Id �r(sh��)�� Vgs��th�������ֵ����3.5V @ 1.2mA
- ��ͬ Vgs �r(sh��)�ĖŘO늺�?��Qg�������ֵ����80nC @ 10V
- ���b�L(f��ng)��SMD/SMT
- ͨ����(sh��)����1Channel
- ���w�ܘO�ԣ�N-Channel
- Id-�B�m(x��)©�O�����31A
- Rds On-©Դ��(d��o)ͨ��裺90mOhms
- Vgs th-��Դ�O�ֵ늉���2.5V
- Vgs - �ŘO-Դ�O늉���20V
- Qg-�ŘO늺ɣ�80nC
- ��С�����ضȣ�-55C
- ������ضȣ�+150C
- ���ã�Single
- Pd-���ʺ�ɢ��255W
- ͨ��ģʽ��Enhancement
- �̘�(bi��o)����CoolMOS
- ���b��CutTape
- �߶ȣ�4.4mm
- �L(zh��ng)�ȣ�10mm
- ϵ�У�CoolMOSCE
- ���w����ͣ�1N-Channel
- ���ȣ�9.25mm
- �½��r(sh��)�g��5ns
- �����P(gu��n)�]���t�r(sh��)�g��60ns
- ���ͽ�ͨ���t�r(sh��)�g��10ns
- �o�U��r/RoHs���o�U/����RoHs
ُ�I����ԃ�a(ch��n)ƷՈ(q��ng)?zh��)ԃ�r(ji��)��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
IPB60R099CP���P(gu��n)��̖(h��o)