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柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場D座23樓11016516
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IPB50N10S3L16ATMA1 PDF資料
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- 制造商：Infineon Technologies
- PDF文件大小：186.78 Kbytes
- PDF文件頁數(shù)：共9頁
- 描述：MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3
IPB50N10S3L16ATMA1技術(shù)規(guī)格
- FET 類型：N 溝道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：100V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：50A（Tc）
- 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：2.4V @ 60μA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：64nC @ 10V
- 電壓，耦合至柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs：10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：4180pF @ 25V
- 電壓，耦合至輸入電容（Ciss）（最大） @ Vds：25V
- 功率耗散（最大值）：100W（Tc）
- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：15.4 毫歐 @ 50A，10V
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝
- 供應(yīng)商器件封裝：PG-TO263-3-2
- 封裝/外殼：PG-TO263-3
- 通道類型：N
- 最大連續(xù)漏極電流：50 A
- 最大漏源電壓：100 V
- 最大漏源電阻值：0.029 0hms
- 最大柵閾值電壓：2.4V
- 最小柵閾值電壓：1.2V
- 最大柵源電壓：-20 V、+20 V
- 封裝類型：D2PAK (TO-263)
- 晶體管配置：單
- 引腳數(shù)目：3
- 通道模式：增強(qiáng)
- 類別：功率 MOSFET
- 最大功率耗散：100 W
- 高度：4.4mm
- 每片芯片元件數(shù)目：1
- 尺寸：10 x 9.25 x 4.4mm
- 寬度：9.25mm
- 系列：OptiMOS T
- 晶體管材料：Si
- 典型柵極電荷@Vgs：49 nC @ 10 V
- 典型輸入電容值@Vds：3215 pF @ 25 V
- 典型關(guān)斷延遲時(shí)間：28 ns
- 典型接通延遲時(shí)間：10 ns
- 最低工作溫度：-55 °C
- 最高工作溫度：+175 °C
- 長度：10mm
- 無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs
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IPB50N10S3L-16(2)相關(guān)型號(hào)
