�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r(sh��)��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖(h��o)
- Ʒ��
- ���b
- ��̖(h��o)
- ��(k��)�攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ(x��n)�r(ji��)
-
��̖(h��o)о������̄�(w��)�����ڣ�����˾
13��
0755-8366305618922805453��18929374037��18922803401�B0755-82537787�����и���^(q��)�A��(qi��ng)��·1019̖(h��o)�A��(qi��ng)�V��(ch��ng)D��23��11016516
IPB180P04P4L-02
���
ֱͨ܇(ch��)
-
-
-
-
�����ջ�
IPB180P04P4L-02 PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�INFINEON[Infineon Technologies AG]
- PDF�������177.86 Kbytes
- PDF��(y��)��(sh��)����9�(y��)
- ������OptiMOS-P2 Power-Transistor
IPB180P04P4L-02���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- ������:Infineon
- �a(ch��n)Ʒ�N�(l��i):MOSFET
- RoHS:��
- ���g(sh��):Si
- ���b�L(f��ng)��:SMD/SMT
- ���b / ���w:TO-263-7
- ͨ����(sh��)��:1 Channel
- ���w�ܘO��:P-Channel
- Vds-©Դ�O����늉�:40 V
- Id-�B�m(x��)©�O���:180 A
- Rds On-©Դ��(d��o)ͨ���:3.9 mOhms
- Vgs th-��Դ�O�ֵ늉�:1.2 V
- Vgs - �ŘO-Դ�O늉�:4.5 V
- Qg-�ŘO늺�:220 nC
- ��С�����ض�:- 55 C
- ������ض�:+ 175 C
- Pd-���ʺ�ɢ:150 W
- ����:Single
- ͨ��ģʽ:Enhancement
- �Y��:AEC-Q101
- �̘�(bi��o)��:OptiMOS
- ���b:Cut Tape
- ���b:MouseReel
- ���b:Reel
- �߶�:4.4 mm
- �L(zh��ng)��:10 mm
- ϵ��:OptiMOS-P2
- ���w���(l��i)��:1 P-Channel
- ����:9.25 mm
- �̘�(bi��o):Infineon Technologies
- �½��r(sh��)�g:119 ns
- �a(ch��n)Ʒ�(l��i)��:MOSFET
- �����r(sh��)�g:28 ns
- ���S���b��(sh��)��:1000
- ���(l��i)�e:MOSFETs
- �����P(gu��n)�]���t�r(sh��)�g:146 ns
- ���ͽ�ͨ���t�r(sh��)�g:32 ns
- ���̖(h��o)�e��:IPB180P04P4L02ATMA1 IPB18P4P4L2XT SP000709460
- �����:1.600 g
ُ(g��u)�I(m��i)����ԃ(x��n)�a(ch��n)ƷՈ(q��ng)?zh��)�?xi��)ԃ(x��n)�r(ji��)��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
IPB180P04P4L-02���P(gu��n)��̖(h��o)