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柒號芯城電子商務(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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GTVA263202FC-V1-R0 PDF資料
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- 制造商:Wolfspeed / Cree
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- PDF文件頁數(shù):共8頁
- 描述:射頻結(jié)柵場效應晶體管(RF JFET)晶體管 RF LDMOS FET
GTVA263202FC-V1-R0技術(shù)規(guī)格
- 制造商:Cree, Inc.
- 產(chǎn)品種類:射頻結(jié)柵場效應晶體管(RF JFET)晶體管
- RoHS:是
- 晶體管類型:HEMT
- 技術(shù):GaN SiC
- 增益:17 dB
- 晶體管極性:N-Channel
- Vds-漏源極擊穿電壓:150 V
- Id-連續(xù)漏極電流:7.5 A
- 輸出功率:340 W
- 最大工作溫度:+ 225 C
- 安裝風格:SMD/SMT
- 封裝 / 箱體:H-37248-4
- 封裝:Reel
- 配置:Dual Common Source
- 工作頻率:2620 MHz to 2690 MHz
- 商標:Wolfspeed / Cree
- 產(chǎn)品類型:RF JFET Transistors
- 工廠包裝數(shù)量:50
- 子類別:Transistors
- Vgs th-柵源極閾值電壓:- 3.8 V
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