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  • 柒號芯城電子商務（深圳）有限公司認證

    13年

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    GS66504B-E01-MR

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  • 深圳市芯冪科技有限公司

    10年

    13267088774 (微信同號)Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號華融大廈240511012790

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  • 深圳市坤融電子有限公司

    17年

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  • 深圳市安富世紀電子有限公司

    8年

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  • GaNSystems　
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  • 深圳市輝華拓展電子有限公司

    17年

    0755-8279089118126117392陳玲玲18126117392深圳市福田區(qū)漢國中心55樓11010821

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  • 深圳市宇浩揚科技有限公司

    10年

    0755-8322300313826514222余先生，張先生0755-83249919深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)201棟31611011818

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  • 深圳市毅創(chuàng)騰電子科技有限公司

    15年

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  • 深圳市驚羽科技有限公司

    5年

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  • 深圳市芯世界半導體有限公司

    10年

    13267088774(微信同號)Sam深圳市福田區(qū)華強電子世界1號樓10A8240主營品牌：TI/德州儀器、ST/意法、MICROCHIP/微芯、ADI/亞德諾、ALLEGRO/雅麗高、NXP/恩智浦、ON/安森美、RENESAS/瑞薩、ROHM/羅姆、ALTERA/阿爾特拉、CYPRESS/賽普拉斯、INFINEON/英飛凌、ISS01011808

  • GS66504B-E01-MR
  • GaN Systems　
  • 原裝　
  • 2019+　
  • 486　
  • 原裝正品　

GS66504B-E01-MR PDF資料
  • 資料下載
  • 制造商：GaN Systems
  • PDF文件大?。?92.10 Kbytes
  • PDF文件頁數(shù)：共14頁
  • 描述：MOSFET 650V 15A E-Mode GaN
GS66504B-E01-MR技術規(guī)格
  • 制造商:GaN Systems
  • 產品種類:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技術:GaN
  • 安裝風格:SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體:GaNPX-3
  • 通道數(shù)量:1 Channel
  • 晶體管極性:N-Channel
  • Vds-漏源極擊穿電壓:650 V
  • Id-連續(xù)漏極電流:45 A
  • Rds On-漏源導通電阻:100 mOhms
  • Vgs th-柵源極閾值電壓:1.3 V
  • Vgs - 柵極-源極電壓:7 V
  • Qg-柵極電荷:6.2 nC
  • 最小工作溫度:- 55 C
  • 最大工作溫度:+ 150 C
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 封裝:Cut Tape
  • 封裝:MouseReel
  • 封裝:Reel
  • 高度:0.51 mm
  • 長度:6.6 mm
  • 產品:MOSFET
  • 系列:GS6650x
  • 晶體管類型:1 N-Channel
  • 寬度:5 mm
  • 商標:GaN Systems
  • 濕度敏感性:Yes
  • 產品類型:MOSFET
  • 工廠包裝數(shù)量:250
  • 子類別:MOSFETs
  • 零件號別名:GS66504B-E01-MR
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