�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r(sh��)��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖(h��o)
- Ʒ��
- ���b
- ��̖(h��o)
- ��(k��)�攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ�r(ji��)
-
��̖(h��o)о������̄�(w��)�����ڣ�����˾
13��
0755-8366305618922805453��18929374037��18922803401�B0755-82537787�����и���^(q��)�A��(qi��ng)��·1019̖(h��o)�A��(qi��ng)�V��(ch��ng)D��23��11016516
-
-
-
-
�����ջ�
-
������о����댧(d��o)�w����˾
10��
13267088774(��̖ͬ(h��o))Sam�����и���^(q��)�A��(qi��ng)�������1̖(h��o)��10A8240���I(y��ng)Ʒ�ƣ�TI/���݃x����ST/�ⷨ��MICROCHIP/о��ADI/�����Z��ALLEGRO/�����ߡ�NXP/��������ON/��ɭ����RENESAS/���_��ROHM/�_ķ��ALTERA/����������CYPRESS/ِ����˹��INFINEON/Ӣ�w����ISS01011808
-
FMMT6520-7-90
- DIODES��
- SOT-23��
- 18+��
- 6520��
- ԭ�b��Ʒ��
-


FMMT6520TA PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�DIODES[Diodes Incorporated]
- PDF�ļ���С��81.11 Kbytes
- PDF��(y��)��(sh��)����4�(y��)
- ������350V PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR IN SOT23
FMMT6520TA���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- ������:Diodes Incorporated
- �a(ch��n)Ʒ�N�:�p�O���w�� - �p�O�Y(ji��)�;��w��(BJT)
- RoHS:��
- ���b�L(f��ng)��:SMD/SMT
- ���b / ���w:SOT-23-3
- ���w�ܘO��:PNP
- ����:Single
- ��늘O���l(f��)��O���늉� VCEO:350 V
- ��늘O�����O늉� VCBO:350 V
- �l(f��)��O - ���O늉� VEBO:- 5 V
- ��늘O����O�늉�:- 1 V
- ���ֱ��늼�늘O���:0.5 A
- ���控���a(ch��n)ƷfT:50 MHz
- ��С�����ض�:- 55 C
- ������ض�:+ 150 C
- ϵ��:FMMT65
- ֱ��������� hFE ���ֵ:20 at 1 mA, 10 V
- �߶�:1 mm
- �L(zh��ng)��:3.05 mm
- ���b:Cut Tape
- ���b:MouseReel
- ���b:Reel
- ����:1.4 mm
- �̘�(bi��o):Diodes Incorporated
- ��늘O�B�m(x��)���:- 0.5 A
- ֱ����늘O/Base Gain hfe Min:20 at 1 mA, 10 V, 30 at 10 mA, 10 V, 30 at 30 mA, 10 V, 20 at 50 mA, 10 V, 15 at 100 mA, 10 V
- Pd-���ʺ�ɢ:330 mW
- �a(ch��n)Ʒ���:BJTs - Bipolar Transistors
- ���S���b��(sh��)��:3000
- ��e:Transistors
- �����:8 mg
ُ(g��u)�I����ԃ�a(ch��n)ƷՈ(q��ng)?zh��)ԃ�r(ji��)��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
FMMT6520-7-90���P(gu��n)��̖(h��o)