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FF450R17ME4 PDF資料
  • 資料下載
  • 制造商:INFINEON[Infineon Technologies AG]
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  • PDF文件頁數(shù):共8頁
  • 描述:EconoDUAL3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled3 diode
FF450R17ME4技術(shù)規(guī)格
  • 制造商:Infineon
  • 產(chǎn)品種類:IGBT 模塊
  • 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules
  • 配置:Dual
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1700 V
  • 集電極—射極飽和電壓:2.3 V
  • 在25 C的連續(xù)集電極電流:600 A
  • 柵極—射極漏泄電流:400 nA
  • Pd-功率耗散:2500 W
  • 最小工作溫度:- 40 C
  • 最大工作溫度:+ 150 C
  • 封裝:Tray
  • 商標(biāo):Infineon Technologies
  • 安裝風(fēng)格:Chassis Mount
  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V
  • 產(chǎn)品類型:IGBT Modules
  • 工廠包裝數(shù)量:10
  • 子類別:IGBTs
  • 零件號別名:FF450R17ME4BOSA1 SP000408712
  • 單位重量:345 g
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