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柒號芯城電子商務(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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EPC2102ENGRT PDF資料
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- 制造商:EPC
- PDF文件大?。?.65 Mbytes
- PDF文件頁數(shù):共7頁
- 描述:GANFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE
EPC2102ENG技術規(guī)格
- 產品培訓模塊:eGaN® Integrated GaN Power
- 標準包裝:10
- 類別:分立半導體產品
- 家庭:FET - 陣列
- 系列:eGaN®
- 包裝:托盤
- FET 類型:2 個 N 通道(半橋)
- FET 功能:GaNFET(氮化鎵)
- 漏源極電壓(Vdss):60V
- 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):23A
- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.4 毫歐 @ 20A,5V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 7mA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6.8nC @ 5V
- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):830pF @ 30V
- 功率 - 最大值:-
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:模具
- 供應商器件封裝:模具
- 配用:917-1064-ND - BOARD DEV FOR EPC2102 60V EGAN
- 其它名稱:917-EPC2102ENGEPC2102ENGRH6
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