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柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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DMTH8003SPS PDF資料
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- 制造商:DIODES[Diodes Incorporated]
- PDF文件大?。?04.97 Kbytes
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- 描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMTH8001STLWQ-13技術(shù)規(guī)格
- 制造商Diodes Incorporated
- 系列-
- 包裝卷帶(TR)
- FET 類型N 通道
- 技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)
- 漏源電壓(Vdss)80 V
- 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)270A(Tc)
- 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
- 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)1.7 毫歐 @ 30A,10V
- 不同 Id 時 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
- 不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值)138 nC @ 10 V
- Vgs(最大值)±20V
- 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值)8894 pF @ 50 V
- FET 功能-
- 功率耗散(最大值)6W(Ta),250W(Tc)
- 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型表面貼裝型
- 供應(yīng)商器件封裝POWERDI1012-8
- 封裝/外殼8-PowerSFN
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DMTH8001STLWQ-13相關(guān)型號