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柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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CWDM3011N PDF資料
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- 制造商：DOINGTER[SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.]
- PDF文件大?。?526.41 Kbytes
- PDF文件頁(yè)數(shù)：共4頁(yè)
- 描述：N-Channel MOSFET uses advanced trench technology
CWDM3011N TR13技術(shù)規(guī)格
- FET 類型：N 溝道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：30V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：11A（Ta）
- 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250μA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：6.3nC @ 5V
- Vgs（最大值）：20V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：860pF @ 15V
- 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta）
- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：20 毫歐 @ 11A，10V
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝
- 供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs
購(gòu)買(mǎi)、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚?xiě)詢價(jià)信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
CWDM1491MDZCC01相關(guān)型號(hào)
