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13 年
0755-83663056 18922805453,18929374037,18922803401 連 0755-82537787 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場D座23樓 1 1016516
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制造商:TI1[TI store]
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PDF文件頁數(shù):共26頁
描述:Synchronous Buck NexFET Power Block
CSD86356Q5DT技術(shù)規(guī)格
制造商: Texas Instruments
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 是
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SON-8
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 25 V
Id-連續(xù)漏極電流: 40 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 4.5 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓: 950 mV
Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V
Qg-柵極電荷: 7.9 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 12 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: NexFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
系列: CSD86356Q5D
晶體管類型: PowerBlock
商標(biāo): Texas Instruments
正向跨導(dǎo) - 最小值: 70 S
下降時(shí)間: 3 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 26 ns
工廠包裝數(shù)量: 250
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 12 ns
典型接通延遲時(shí)間: 7 ns
購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r(jià)信息:(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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