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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場D座23樓11016516
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CSD86350Q5D PDF資料
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- 制造商:TI[Texas Instruments]
- PDF文件大小:923.06 Kbytes
- PDF文件頁數(shù):共15頁
- 描述:Synchronous Buck NexFETa?¢ Power Block
CSD86350Q5D技術(shù)規(guī)格
- 制造商:Texas Instruments
- 產(chǎn)品種類:MOSFET
- RoHS:是
- 技術(shù):Si
- 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
- 封裝 / 箱體:LSON-CLIP-8
- 通道數(shù)量:2 Channel
- 晶體管極性:N-Channel
- Vds-漏源極擊穿電壓:25 V
- Id-連續(xù)漏極電流:40 A
- Vgs th-柵源極閾值電壓:900 mV
- Vgs - 柵極-源極電壓:8 V
- Qg-柵極電荷:8.2 nC, 19.4 nC
- 最小工作溫度:- 55 C
- 最大工作溫度:+ 150 C
- Pd-功率耗散:13 W
- 配置:Dual
- 通道模式:Enhancement
- 商標(biāo)名:NexFET
- 封裝:Cut Tape
- 封裝:MouseReel
- 封裝:Reel
- 高度:1.5 mm
- 長度:6 mm
- 系列:CSD86350Q5D
- 晶體管類型:2 N-Channel
- 類型:Synchronous Buck MOSFET Driver
- 寬度:5 mm
- 商標(biāo):Texas Instruments
- 正向跨導(dǎo) - 最小值:103 S, 132 S
- 開發(fā)套件:CSD86350Q5DEVM-604, TPS53219EVM-690
- 下降時(shí)間:2.3 ns, 21 ns
- 產(chǎn)品類型:MOSFET
- 上升時(shí)間:21 ns, 23 ns
- 工廠包裝數(shù)量:2500
- 子類別:MOSFETs
- 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:9 ns, 24 ns
- 典型接通延遲時(shí)間:8 ns, 9 ns
- 單位重量:170 mg
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CSD86350Q5D相關(guān)型號(hào)