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  • 柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司認(rèn)證

    13年

    0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516

    CSD86350D

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    保1萬(wàn)

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  • 深圳青信科技有限公司

    13年

    0755-83259897，82556116，8323411413600403444林生83563859深圳市福田區(qū)中航路都會(huì)軒101801010770

  • CSD86350D
  • TI　
  • QFN8　
  • 13+　
  • 1125　
  • 　

  • 深圳市高捷芯城科技有限公司

    11年

    1335298541913352985419木易深圳市福田區(qū)航都大廈10B11016882

  • CSD86350Q5
  • ADI(亞德諾)　
  • SON8　
  • 24+　
  • 1157200　
  • 　

  • 深圳市浩睿澤電子科技有限公司

    16年

    1985477335219854773352羅先生深圳市福田區(qū)福田街道崗廈社區(qū)彩田路3069號(hào)星河世紀(jì)A棟2003F19一級(jí)代理分銷(xiāo)，只做原裝11015339

  • CSD86350Q5
  • AD只做原裝　
  • SON8　
  • 新批?　
  • 6425　
  • 只做原裝正品　

  • 深圳市錦凡電子科技有限公司

    13年

    0755-3307178313510650010柳林0755-23501873深圳市寶安區(qū)沙井街道景盛豪庭5棟1901室/福田區(qū)華強(qiáng)北高科德61807室深圳市錦凡電子科技有限公司主要經(jīng)營(yíng)的品牌有:XILINX、ALTERA、TIIR、ON、NXP、ST、TI、AME、MAXIM、SST、TDK、ADI11010701

  • CSD86350Q5D
  • TI　
  • SON8　
  • 14+/15+　
  • 2043　
  • 原裝進(jìn)口，只做原裝，歡迎來(lái)電13510650010　

CSD86350Q5D PDF資料
  • 資料下載
  • 制造商：TI[Texas Instruments]
  • PDF文件大?。?23.06 Kbytes
  • PDF文件頁(yè)數(shù)：共15頁(yè)
  • 描述：Synchronous Buck NexFETa?￠ Power Block
CSD86350Q5D技術(shù)規(guī)格
  • 制造商:Texas Instruments
  • 產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
  • RoHS:是
  • 技術(shù):Si
  • 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體:LSON-CLIP-8
  • 通道數(shù)量:2 Channel
  • 晶體管極性:N-Channel
  • Vds-漏源極擊穿電壓:25 V
  • Id-連續(xù)漏極電流:40 A
  • Vgs th-柵源極閾值電壓:900 mV
  • Vgs - 柵極-源極電壓:8 V
  • Qg-柵極電荷:8.2 nC, 19.4 nC
  • 最小工作溫度:- 55 C
  • 最大工作溫度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:13 W
  • 配置:Dual
  • 通道模式:Enhancement
  • 商標(biāo)名:NexFET
  • 封裝:Cut Tape
  • 封裝:MouseReel
  • 封裝:Reel
  • 高度:1.5 mm
  • 長(zhǎng)度:6 mm
  • 系列:CSD86350Q5D
  • 晶體管類(lèi)型:2 N-Channel
  • 類(lèi)型:Synchronous Buck MOSFET Driver
  • 寬度:5 mm
  • 商標(biāo):Texas Instruments
  • 正向跨導(dǎo) - 最小值:103 S, 132 S
  • 開(kāi)發(fā)套件:CSD86350Q5DEVM-604, TPS53219EVM-690
  • 下降時(shí)間:2.3 ns, 21 ns
  • 產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET
  • 上升時(shí)間:21 ns, 23 ns
  • 工廠包裝數(shù)量:2500
  • 子類(lèi)別:MOSFETs
  • 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:9 ns, 24 ns
  • 典型接通延遲時(shí)間:8 ns, 9 ns
  • 單位重量:170 mg
購(gòu)買(mǎi)、咨詢(xún)產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚?xiě)詢(xún)價(jià)信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
詢(xún)價(jià)型號(hào)*數(shù)量*批號(hào)封裝品牌其它要求
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