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  • TI/德州儀器 
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  • 深圳市芯世界半導(dǎo)體有限公司

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    13267088774(微信同號(hào))Sam深圳市福田區(qū)華強(qiáng)電子世界1號(hào)樓10A8240主營(yíng)品牌:TI/德州儀器、ST/意法、MICROCHIP/微芯、ADI/亞德諾、ALLEGRO/雅麗高、NXP/恩智浦、ON/安森美、RENESAS/瑞薩、ROHM/羅姆、ALTERA/阿爾特拉、CYPRESS/賽普拉斯、INFINEON/英飛凌、ISS01011808

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CSD25404Q3T PDF資料
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  • 制造商:TI(德州儀器)
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  • PDF文件頁數(shù):共13頁
  • 描述:連續(xù)漏極電流(Id)(25°C 時(shí)):104A(Tc) 漏源電壓(Vdss):20V 柵源極閾值電壓:1.15V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻:6.5mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):96W(Tc) 類型:P溝道
CSD25404Q3技術(shù)規(guī)格
  • 制造商:Texas Instruments
  • 產(chǎn)品種類:MOSFET
  • RoHS:
  • 技術(shù):Si
  • 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體:VSON-Clip-8
  • 通道數(shù)量:1 Channel
  • 晶體管極性:P-Channel
  • Vds-漏源極擊穿電壓:20 V
  • Id-連續(xù)漏極電流:104 A
  • Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:6.5 mOhms
  • Vgs th-柵源極閾值電壓:650 mV
  • Vgs - 柵極-源極電壓:4.5 V
  • Qg-柵極電荷:10.8 nC
  • 最小工作溫度:- 55 C
  • 最大工作溫度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:96 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 商標(biāo)名:NexFET
  • 封裝:Cut Tape
  • 封裝:MouseReel
  • 封裝:Reel
  • 高度:1 mm
  • 長(zhǎng)度:3.3 mm
  • 系列:CSD25404Q3
  • 晶體管類型:1 P-Channel Power MOSFET
  • 寬度:3.3 mm
  • 商標(biāo):Texas Instruments
  • 下降時(shí)間:13 ns
  • 產(chǎn)品類型:MOSFET
  • 上升時(shí)間:8 ns
  • 工廠包裝數(shù)量:2500
  • 子類別:MOSFETs
  • 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:35 ns
  • 典型接通延遲時(shí)間:13 ns
  • 單位重量:44 mg
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