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柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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CSD25402Q3A_16 PDF資料
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- 制造商：TI1[Texas Instruments]
- PDF文件大小：1036.17 Kbytes
- PDF文件頁(yè)數(shù)：共15頁(yè)
- 描述：20 V P-Channel NexFET Power MOSFET
CSD25402Q3AT技術(shù)規(guī)格
- 包裝Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 系列NexFET?
- 零件狀態(tài)有源
- FET 類型P 通道
- 技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）20V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）15A（Ta），76A（Tc）
- 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）1.8V，4.5V
- 不同Id，Vgs 時(shí)的Rds On（最大值）8.9 毫歐 @ 10A，4.5V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）1.15V @ 250μA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值）9.7nC @ 4.5V
- Vgs（最大值）±12V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）1790pF @ 10V
- FET 功能-
- 功率耗散（最大值）2.8W（Ta），69W（Tc）
- 工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型表面貼裝型
- 供應(yīng)商器件封裝8-VSONP（3x3.15）
- 封裝/外殼8-PowerVDFN
購(gòu)買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚懺儍r(jià)信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
CSD25402Q3A.相關(guān)型號(hào)
