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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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CSD18542KTTT PDF資料
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- 制造商:TI1[Texas Instruments]
- PDF文件大?。?24.87 Kbytes
- PDF文件頁(yè)數(shù):共13頁(yè)
- 描述:60-V N-Channel NexFET Power MOSFET
CSD18542KTTT技術(shù)規(guī)格
- 制造商:Texas Instruments
- 產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
- RoHS:是
- 技術(shù):Si
- 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
- 封裝 / 箱體:TO-263-3
- 通道數(shù)量:1 Channel
- 晶體管極性:N-Channel
- Vds-漏源極擊穿電壓:60 V
- Id-連續(xù)漏極電流:200 A
- Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:4 mOhms
- Vgs th-柵源極閾值電壓:1.8 V
- Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
- Qg-柵極電荷:44 nC
- 最小工作溫度:- 55 C
- 最大工作溫度:+ 175 C
- Pd-功率耗散:250 W
- 配置:Single
- 通道模式:Enhancement
- 商標(biāo)名:NexFET
- 封裝:Cut Tape
- 封裝:MouseReel
- 封裝:Reel
- 高度:19.7 mm
- 長(zhǎng)度:9.25 mm
- 系列:CSD18542KTT
- 晶體管類(lèi)型:1 N-Channel
- 寬度:10.26 mm
- 商標(biāo):Texas Instruments
- 正向跨導(dǎo) - 最小值:198 S
- 開(kāi)發(fā)套件:-
- 下降時(shí)間:2 ns
- 濕度敏感性:Yes
- 產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET
- 上升時(shí)間:4 ns
- 工廠包裝數(shù)量:50
- 子類(lèi)別:MOSFETs
- 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:2 ns
- 典型接通延遲時(shí)間:6 ns
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