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  • 柒號芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司認(rèn)證

    13年

    0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516

    CSD16414Q5G4

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  • 深圳市瑞浩芯科技有限公司

    10年

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  • CSD16414Q5G4
  • TI　
  • DFN56　
  • 24+　
  • 5690　
  • 原裝進(jìn)口，支持技術(shù)服務(wù)，提供樣品　

  • 深圳市宇浩揚科技有限公司

    10年

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  • CSD16414Q5-VB
  • VBsemi(微碧半導(dǎo)體)　
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  • 《原裝現(xiàn)貨》進(jìn)入商城可在線下單　

  • 深圳市芯冪科技有限公司

    10年

    13267088774 (微信同號)Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號華融大廈240511012790

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  • 原裝正品　　

  • 深圳市微碧半導(dǎo)體有限公司

    4年

    0755-8320414118118747668許小姐深圳市福田區(qū)華強北街道荔村社區(qū)振興路120號賽 格科技園4棟東5層50211017049

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  • VBsemi/微碧半導(dǎo)體　
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  • 臺積電晶圓長電封裝微碧原裝可長久大量供應(yīng)　

CSD16415Q5 PDF資料
  • 資料下載
  • 制造商：TI1[Texas Instruments]
  • PDF文件大?。?68.97 Kbytes
  • PDF文件頁數(shù)：共12頁
  • 描述：N-Channel NexFETa?￠ Power MOSFET
CSD16415Q5技術(shù)規(guī)格
  • 制造商:Texas Instruments
  • 產(chǎn)品種類:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技術(shù):Si
  • 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體:VSON-Clip-8
  • 通道數(shù)量:1 Channel
  • 晶體管極性:N-Channel
  • Vds-漏源極擊穿電壓:25 V
  • Id-連續(xù)漏極電流:100 A
  • Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.5 mOhms
  • Vgs th-柵源極閾值電壓:1.5 V
  • Vgs - 柵極-源極電壓:16 V
  • Qg-柵極電荷:21 nC
  • 最小工作溫度:- 55 C
  • 最大工作溫度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:3.2 W
  • 配置:Single
  • 商標(biāo)名:NexFET
  • 封裝:Cut Tape
  • 封裝:MouseReel
  • 封裝:Reel
  • 高度:1 mm
  • 長度:6 mm
  • 系列:CSD16415Q5
  • 晶體管類型:1 N-Channel
  • 寬度:5 mm
  • 商標(biāo):Texas Instruments
  • 正向跨導(dǎo) - 最小值:168 S
  • 下降時間:12.7 ns
  • 產(chǎn)品類型:MOSFET
  • 上升時間:30 ns
  • 工廠包裝數(shù)量:2500
  • 子類別:MOSFETs
  • 典型關(guān)閉延遲時間:20 ns
  • 典型接通延遲時間:16.6 ns
  • 單位重量:129 mg
購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
詢價型號*數(shù)量*批號封裝品牌其它要求
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