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  • 深圳市芯世界半導體有限公司

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CSD16413Q5A PDF資料
  • 資料下載
  • 制造商：TI1[Texas Instruments]
  • PDF文件大?。?42.33 Kbytes
  • PDF文件頁數(shù)：共11頁
  • 描述：N-Channel NexFETa?￠ Power MOSFET
CSD16413Q5A技術(shù)規(guī)格
  • 制造商:Texas Instruments
  • 產(chǎn)品種類:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技術(shù):Si
  • 安裝風格:SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體:VSONP-8
  • 通道數(shù)量:1 Channel
  • 晶體管極性:N-Channel
  • Vds-漏源極擊穿電壓:25 V
  • Id-連續(xù)漏極電流:100 A
  • Rds On-漏源導通電阻:4.1 mOhms
  • Vgs th-柵源極閾值電壓:1.6 V
  • Vgs - 柵極-源極電壓:16 V
  • Qg-柵極電荷:9 nC
  • 最小工作溫度:- 55 C
  • 最大工作溫度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:3.1 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 商標名:NexFET
  • 封裝:Cut Tape
  • 封裝:MouseReel
  • 封裝:Reel
  • 高度:1 mm
  • 長度:6 mm
  • 系列:CSD16413Q5A
  • 晶體管類型:1 N-Channel
  • 寬度:4.9 mm
  • 商標:Texas Instruments
  • 正向跨導 - 最小值:95 S
  • 下降時間:5.7 ns
  • 產(chǎn)品類型:MOSFET
  • 上升時間:15.9 ns
  • 工廠包裝數(shù)量:2500
  • 子類別:MOSFETs
  • 典型關(guān)閉延遲時間:10.7 ns
  • 典型接通延遲時間:9.1 ns
  • 單位重量:100 mg
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