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柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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CSD16322Q5C PDF資料
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- 制造商：TI[Texas Instruments]
- PDF文件大?。?84.66 Kbytes
- PDF文件頁(yè)數(shù)：共10頁(yè)
- 描述：DualCoola?￠ N-Channel NexFETa?￠ Power MOSFETs
CSD16322Q5C技術(shù)規(guī)格
- 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊：NexFET MOSFET Technology
- 視頻文件：NexFET Power Block PowerStack? Packaging Technology Overview
- 設(shè)計(jì)資源：Create your power design now with TI’s WEBENCH® Designer
- 特色產(chǎn)品：DualCool? NexFET? CSD16 Q5C MOSFETs
- 制造商產(chǎn)品頁(yè)：CSD16322Q5C Specifications
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
- 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
- 家庭：FET - 單
- 系列：NexFET??
- 包裝：帶卷（TR）
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源極電壓（Vdss）：25V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：21A（Ta），97A（Tc）
- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：5 毫歐 @ 20A，8V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：1.4V @ 250µA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：9.7nC @ 4.5V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：1365pF @ 12.5V
- 功率 - 最大值：3.1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-TDFN 裸露焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝：8-SON
- 其它名稱：296-25644-2
購(gòu)買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚懺儍r(jià)信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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