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    0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516

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  • 深圳市萊杰信科技有限公司

    12年

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  • 深圳市芯冪科技有限公司

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  • 深圳市宇浩揚科技有限公司

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  • 深圳市微碧半導體有限公司

    4年

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  • 制造商：華潤華晶
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  • 描述：連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：2A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：600V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導通電阻：4Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：35W(Tc) 類型：N溝道
CS2N60A4H技術規(guī)格
  • 商品類型MOS(場效應管)
  • 漏源電壓（Vdss）600V
  • 連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）2A(Tc)
  • 柵源極閾值電壓4V @ 250uA
  • 漏源導通電阻4Ω @ 1A,10V
  • 最大功率耗散（Ta=25°C）35W(Tc)
  • 類型N溝道
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