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柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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BUK7K5R6-30E,115 PDF資料
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- 制造商:Nexperia
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- 描述:MOSFET Dual N-channel 30 V 5.6 mo FET
BUK7K5R6-30E,115技術(shù)規(guī)格
- 制造商:Nexperia
- 產(chǎn)品種類:MOSFET
- RoHS:是
- 技術(shù):Si
- 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
- 封裝 / 箱體:LFPAK56D-8
- 通道數(shù)量:2 Channel
- 晶體管極性:N-Channel
- Vds-漏源極擊穿電壓:30 V
- Id-連續(xù)漏極電流:40 A
- Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:4.76 mOhms
- Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V
- Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
- Qg-柵極電荷:29.7 nC
- 最小工作溫度:- 55 C
- 最大工作溫度:+ 175 C
- Pd-功率耗散:64 W
- 配置:Dual
- 通道模式:Enhancement
- 資格:AEC-Q101
- 封裝:Cut Tape
- 封裝:MouseReel
- 封裝:Reel
- 晶體管類型:2 N-Channel
- 商標:Nexperia
- 下降時間:12.9 ns
- 產(chǎn)品類型:MOSFET
- 上升時間:10 ns
- 工廠包裝數(shù)量:1500
- 子類別:MOSFETs
- 典型關(guān)閉延遲時間:17.9 ns
- 典型接通延遲時間:9.2 ns
- 單位重量:118 mg
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