�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r(sh��)��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖(h��o)
- Ʒ��
- ���b
- ��̖(h��o)
- ��攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ�r(ji��)
-
��̖(h��o)о������̄�(w��)�����ڣ�����˾
13��
0755-8366305618922805453��18929374037��18922803401�B0755-82537787�����и���^(q��)�A��(qi��ng)��·1019̖(h��o)�A��(qi��ng)�V��(ch��ng)D��23��11016516
-
-
-
-
�����ջ�
-
������о����댧(d��o)�w����˾
10��
13267088774(��̖ͬ(h��o))Sam�����и���^(q��)�A��(qi��ng)�������1̖(h��o)��10A8240���IƷ�ƣ�TI/���݃x����ST/�ⷨ��MICROCHIP/о��ADI/�����Z��ALLEGRO/��������NXP/�����֡�ON/��ɭ����RENESAS/���_��ROHM/�_ķ��ALTERA/����������CYPRESS/ِ����˹��INFINEON/Ӣ�w�衢ISS01011808
-
BU508AF
- STMicroelectronics��
- ԭ�Sԭ����
- 19+��
- 5660��
- ֻ��ԭ�b��
-
-
������ԣ혺��������˾
13��
�R�A��(qi��ng)��01010814
-
BU508AF
- ��
- TO3P-3��
- 14+��
- 3000��
- ԭ�b�F(xi��n)؛����Ʒ���ۣ�����ɶ���
-
BU508A-2 PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]
- PDF�ļ�������534.05 Kbytes
- PDF�ļ�퓔�(sh��)����3�
- ������Collector-Emitter Sustaining Voltage-: VCEO(SUS)= 900V (Min)
BU508AF���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- ������:STMicroelectronics
- �a(ch��n)Ʒ�N�:�p�O���w�� - �p�O�Y(ji��)�;��w��(BJT)
- RoHS:��
- ���b�L(f��ng)��:Through Hole
- ���b / ���w:ISOWATT-218FX-3
- ���w�ܘO��:NPN
- ����:Single
- ��늘O���l(f��)��O���늉� VCEO:700 V
- ��늘O�����O늉� VCBO:9 V
- �l(f��)��O - ���O늉� VEBO:9 V
- ���ֱ��늼�늘O���:8 A
- ��С�����ض�:- 65 C
- ������ض�:+ 150 C
- ϵ��:BU508AF
- �߶�:14.7 mm
- �L��:26.7 mm
- ����:15.7 mm
- �̘�(bi��o):STMicroelectronics
- ��늘O�B�m(x��)���:8 A
- Pd-���ʺ�ɢ:50000 mW
- �a(ch��n)Ʒ���:BJTs - Bipolar Transistors
- ���S���b��(sh��)��:300
- ��e:Transistors
ُ�I����ԃ�a(ch��n)ƷՈ(q��ng)?zh��)ԃ�r(ji��)��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
BU508A-2���P(gu��n)��̖(h��o)
![P(gun)]](/imgs/dlgclose.gif "P(gun)]")
