�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r(sh��)��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖(h��o)
- Ʒ��
- ���b
- ��̖(h��o)
- ��(k��)�攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ�r(ji��)
-
��̖(h��o)о������̄�(w��)�����ڣ�����˾
13��
0755-8366305618922805453��18929374037��18922803401�B0755-82537787�����и���^(q��)�A��(qi��ng)��·1019̖(h��o)�A��(qi��ng)�V��(ch��ng)D��23��11016516
-
-
-
-
�����ջ�
-
������о����댧(d��o)�w����˾
10��
13267088774(��̖ͬ(h��o))Sam�����и���^(q��)�A��(qi��ng)�������1̖(h��o)��10A8240���I(y��ng)Ʒ�ƣ�TI/���݃x����ST/�ⷨ��MICROCHIP/о��ADI/�����Z��ALLEGRO/��������NXP/�����֡�ON/��ɭ����RENESAS/���_��ROHM/�_ķ��ALTERA/����������CYPRESS/ِ����˹��INFINEON/Ӣ�w�衢ISS01011808
-
BSZ150N10LS3GATMA1
- Infineon Technologies��
- ԭ�b��
- 2019+��
- 9937��
- ԭ�b��Ʒ��
-
BSZ150N10LS3GATMA1 PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�Infineon Technologies
- PDF�ļ�������429.35 Kbytes
- PDF�ļ��(y��)��(sh��)����9�(y��)
- ������MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8
BSZ150N10LS3GATMA1���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- ������:Infineon
- �a(ch��n)Ʒ�N�:MOSFET
- RoHS:��
- ���g(sh��):Si
- ���b�L(f��ng)��:SMD/SMT
- ���b / ���w:TSDSON-8
- ͨ����(sh��)��:1 Channel
- ���w�ܘO��:N-Channel
- Vds-©Դ�O����늉�:100 V
- Id-�B�m(x��)©�O���:40 A
- Rds On-©Դ��(d��o)ͨ���:13 mOhms
- Vgs th-��Դ�O�ֵ늉�:1.1 V
- Vgs - �ŘO-Դ�O늉�:20 V
- Qg-�ŘO늺�:35 nC
- ��С�����ض�:- 55 C
- ������ض�:+ 150 C
- Pd-���ʺ�ɢ:63 W
- ����:Single
- ͨ��ģʽ:Enhancement
- �̘�(bi��o)��:OptiMOS
- ���b:Cut Tape
- ���b:MouseReel
- ���b:Reel
- �߶�:1.1 mm
- �L(zh��ng)��:3.3 mm
- ϵ��:OptiMOS 3
- ���w�����:1 N-Channel
- ����:3.3 mm
- �̘�(bi��o):Infineon Technologies
- ����猧(d��o) - ��Сֵ:21 S
- �½��r(sh��)�g:3.9 ns
- �a(ch��n)Ʒ���:MOSFET
- �����r(sh��)�g:4.6 ns
- ���S���b��(sh��)��:5000
- ��e:MOSFETs
- �����P(gu��n)�]���t�r(sh��)�g:23.4 ns
- ���ͽ�ͨ���t�r(sh��)�g:8.1 ns
- ���̖(h��o)�e��:BSZ150N10LS3 G SP001002916
ُ(g��u)�I����ԃ�a(ch��n)ƷՈ(q��ng)?zh��)ԃ�r(ji��)��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
BSZ150N10LS3GATMA1���P(gu��n)��̖(h��o)
![P(gun)]](/imgs/dlgclose.gif "P(gun)]")
