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柒號芯城電子商務(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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BSZ010NE2LS5ATMA1 PDF資料
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- 制造商:Infineon Technologies
- PDF文件大?。?.45 Mbytes
- PDF文件頁數(shù):共11頁
- 描述:MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON
BSZ010NE2LS5ATMA1技術規(guī)格
- 包裝標準卷帶
- 系列OptiMOS? 5
- 零件狀態(tài)有源
- FET 類型N 通道
- 技術MOSFET(金屬氧化物)
- 漏源電壓(Vdss)25V
- 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)32A(Ta),40A(Tc)
- 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
- 不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)1 毫歐 @ 20A,10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)2V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)29nC @ 4.5V
- Vgs(最大值)±16V
- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)3900pF @ 12V
- FET 功能-
- 功率耗散(最大值)2.1W(Ta),69W(Tc)
- 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型表面貼裝型
- 供應商器件封裝PG-TSDSON-8-FL
- 封裝/外殼8-PowerTDFN
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