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BSS816NW H6327 PDF資料
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  • 制造商:Infineon Technologies
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  • 描述:MOSFET N-Ch 20V 1.4A SOT-323-3
BSS816NW H6327技術(shù)規(guī)格
  • 制造商:Infineon
  • 產(chǎn)品種類:MOSFET
  • RoHS:
  • 技術(shù):Si
  • 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體:SOT-323-3
  • 通道數(shù)量:1 Channel
  • 晶體管極性:N-Channel
  • Vds-漏源極擊穿電壓:20 V
  • Id-連續(xù)漏極電流:1.4 A
  • Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:107 mOhms
  • Vgs th-柵源極閾值電壓:300 mV
  • Vgs - 柵極-源極電壓:8 V
  • Qg-柵極電荷:600 pC
  • 最小工作溫度:- 55 C
  • 最大工作溫度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W)
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 封裝:Cut Tape
  • 封裝:MouseReel
  • 封裝:Reel
  • 高度:1.1 mm
  • 長度:2.9 mm
  • 系列:BSS816
  • 晶體管類型:1 N-Channel
  • 寬度:1.3 mm
  • 商標(biāo):Infineon Technologies
  • 正向跨導(dǎo) - 最小值:4.9 S
  • 下降時間:2.2 ns
  • 產(chǎn)品類型:MOSFET
  • 上升時間:9 ns
  • 工廠包裝數(shù)量:3000
  • 子類別:MOSFETs
  • 典型關(guān)閉延遲時間:11 ns
  • 典型接通延遲時間:5.3 ns
  • 零件號別名:BSS816NWH6327XT BSS816NWH6327XTSA1 SP000917562
  • 單位重量:5 mg
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