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    13年

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    BSP603S2L(2)

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  • 深圳市坤融電子有限公司

    17年

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  • 深圳市瑞浩芯科技有限公司

    10年

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  • 深圳市驚羽科技有限公司

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BSP603S2LHUMA1 PDF資料
  • 資料下載
  • 制造商：Infineon Technologies
  • PDF文件大?。?37.68 Kbytes
  • PDF文件頁數(shù)：共10頁
  • 描述：MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT-223
BSP603S2LHUMA1技術(shù)規(guī)格
  • 系列：OptiMOS??
  • FET類型：N 溝道
  • 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
  • 電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）：5.2A（Ta）
  • 驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id時的Vgs（th）（最大值）：2V @ 50μA
  • 不同Vgs時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：42nC @ 10V
  • 不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：1390pF @ 25V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 功率耗散（最大值）：1.8W（Ta）
  • 不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）：33 毫歐 @ 2.6A，10V
  • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 封裝/外殼：PG-SOT223-4
  • 封裝形式Package：SOT-223
  • 極性Polarity：N-CH
  • 漏源極擊穿電壓VDSS：55V
  • 連續(xù)漏極電流ID：5.2A
  • 漏源電壓（Vdss）：55V
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：42nC
  • 電壓，耦合至柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs：10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：1390pF
  • 電壓，耦合至輸入電容（Ciss）（最大） @ Vds：25V
  • 供應(yīng)商器件封裝：PG-SOT223-4
  • 無鉛情況/RoHs：否
購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r(jià)信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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