�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r(sh��)��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖(h��o)
- Ʒ��
- ���b
- ��̖(h��o)
- ��(k��)�攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ�r(ji��)
-
��̖(h��o)о������̄�(w��)�����ڣ�����˾
13��
0755-8366305618922805453��18929374037��18922803401�B0755-82537787�����и���^(q��)�A��(qi��ng)��·1019̖(h��o)�A��(qi��ng)�V��(ch��ng)D��23��11016516
BSM50GD120DN2_E3226
���
ֱͨ܇(ch��)
-
-
-
-
�����ջ�
BSM50GD120DN2E3226 PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
- PDF�ļ���С��132.73 Kbytes
- PDF��(y��)��(sh��)����9�(y��)
- ������IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes Package with insulated metal base plate)
BSM50GD120DN2BOSA1���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- ���b�бP(p��n)
- ϵ��-
- �����B(t��i)���m������O(sh��)Ӌ(j��)
- IGBT �(l��i)��-
- ����ȫ��
- 늉� - ����O���������ֵ��1200V
- ��� - ��늘O��Ic�������ֵ��72A
- ���� - ���ֵ350W
- ��ͬVge��Ic �r(sh��)��Vce��on��3V @ 15V��50A
- ��� - ��늘O��ֹ�����ֵ��1mA
- ��ͬVce �r(sh��)��ݔ����ݣ�Cies��3.3nF @ 25V
- ݔ����(bi��o)��(zh��n)
- NTC ��������o(w��)
- �����ض�150��C��TJ��
- ���b�(l��i)���������b
- ���b/�⚤ģ�K
- ����(y��ng)���������bģ�K
ُ(g��u)�I(m��i)����ԃ�a(ch��n)ƷՈ(q��ng)?zh��)�?xi��)ԃ�r(ji��)��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
BSM50GD120DN2_E3226���P(gu��n)��̖(h��o)