�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖
- Ʒ��
- ���b
- ��̖
- ��攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ�r
-
��̖о������̄�(w��)�����ڣ�����˾
13��
0755-8366305618922805453��18929374037��18922803401�B0755-82537787�����и���^(q��)�A��(qi��ng)��·1019̖�A��(qi��ng)�V��D��23��11016516
-
-
-
-
�����ջ�
BSC159N10LSFG PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�INFINEON[Infineon Technologies AG]
- PDF�������436.0 Kbytes
- PDF�ļ�퓔�(sh��)����10�
- ������OptiMOSa?��2 Power-Transistor
BSC159N10LSFG���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- ������:Infineon
- �a(ch��n)Ʒ�N�:MOSFET
- RoHS:��
- �̘�(bi��o):Infineon Technologies
- Id-�B�m(x��)©�O���:9.4 A
- Vds-©Դ�O����늉�:100 V
- Rds On-©Դ��(d��o)ͨ���:15.9 mOhms
- ���w�ܘO��:N-Channel
- Vgs-��Դ�O����늉� :20 V
- ������ض�:+ 150 C
- Pd-���ʺ�ɢ:114 W
- ���b�L(f��ng)��:SMD/SMT
- ���b / ���w:TDSON-8
- ���b:Reel
- ͨ��ģʽ:Enhancement
- ����:Single Quad Drain Triple Source
- �½��r�g:6 ns
- ��С�����ض�:- 55 C
- �����r�g:24 ns
- ϵ��:OptiMOS 2
- ���S���b��(sh��)��:5000
- �̘�(bi��o)��:OptiMOS
- �����P(gu��n)�]���t�r�g:28 ns
- ���ͽ�ͨ���t�r�g:13 ns
- ���̖�e��:BSC159N10LSFGATMA1 BSC159N10LSFGXT SP000379614
ُ�I����ԃ�a(ch��n)ƷՈ?zh��)ԃ�r��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
BSC159N10LSFG���P(gu��n)��̖