�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r(sh��)��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖
- Ʒ��
- ���b
- ��̖
- ��攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ�r(ji��)
-
��̖о������̄�(w��)�����ڣ�����˾
13��
0755-8366305618922805453��18929374037��18922803401�B0755-82537787�����и���^(q��)�A��(qi��ng)��·1019̖�A��(qi��ng)�V��D��23��11016516
-
-
-
-
�����ջ�
BSC010NE2LSIATMA1 PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�Infineon Technologies
- PDF�ļ�������1.38 Mbytes
- PDF�ļ�퓔�(sh��)����13�
- ������MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
BSC010NE2LSIATMA1���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- ������:Infineon
- �a(ch��n)Ʒ�N�:MOSFET
- RoHS:��
- ���g(sh��):Si
- ���b�L(f��ng)��:SMD/SMT
- ���b / ���w:TDSON-8
- ͨ����(sh��)��:1 Channel
- ���w�ܘO��:N-Channel
- Vds-©Դ�O����늉�:25 V
- Id-�B�m(x��)©�O���:100 A
- Rds On-©Դ��(d��o)ͨ���:900 uOhms
- Vgs th-��Դ�O�ֵ늉�:1.2 V
- Vgs - �ŘO-Դ�O늉�:20 V
- Qg-�ŘO늺�:78 nC
- ��С�����ض�:- 55 C
- ������ض�:+ 150 C
- Pd-���ʺ�ɢ:96 W
- ����:Single
- ͨ��ģʽ:Enhancement
- �̘�(bi��o)��:OptiMOS
- ���b:Cut Tape
- ���b:MouseReel
- ���b:Reel
- �߶�:1.27 mm
- �L��:5.9 mm
- ���w�����:1 N-Channel
- ����:5.15 mm
- �̘�(bi��o):Infineon Technologies
- ����猧(d��o) - ��Сֵ:80 S
- �½��r(sh��)�g:4.6 ns
- �a(ch��n)Ʒ���:MOSFET
- �����r(sh��)�g:6.2 ns
- ���S���b��(sh��)��:5000
- ��e:MOSFETs
- �����P(gu��n)�]���t�r(sh��)�g:32 ns
- ���ͽ�ͨ���t�r(sh��)�g:6.3 ns
- ���̖�e��:BSC010NE2LSI BSC1NE2LSIXT SP000854376
- �����:118.700 mg
ُ�I����ԃ�a(ch��n)ƷՈ?zh��)ԃ�r(ji��)��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
BSC010NE2LSIATMA1���P(gu��n)��̖
![P(gun)]](/imgs/dlgclose.gif "P(gun)]")
