�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r(sh��)��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖(h��o)
- Ʒ��
- ���b
- ��̖(h��o)
- ��(k��)�攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ(x��n)�r(ji��)
-
��̖(h��o)о������̄�(w��)�����ڣ�����˾
13��
0755-8366305618922805453��18929374037��18922803401�B0755-82537787�����и���^(q��)�A��(qi��ng)��·1019̖(h��o)�A��(qi��ng)�V��(ch��ng)D��23��11016516
BR93C76-WMN6TP
���
ֱͨ܇(ch��)
-
-
-
-
�����ջ�
-
������о����댧(d��o)�w����˾
10��
13267088774(��̖ͬ(h��o))Sam�����и���^(q��)�A��(qi��ng)�������1̖(h��o)��10A8240���I(y��ng)Ʒ�ƣ�TI/���݃x����ST/�ⷨ��MICROCHIP/о��ADI/�����Z��ALLEGRO/�����ߡ�NXP/��������ON/��ɭ����RENESAS/���_��ROHM/�_ķ��ALTERA/����������CYPRESS/ِ����˹��INFINEON/Ӣ�w����ISS01011808
-
BR93C76-WMN6TP
- Rohm Semiconductor��
- 8-SOIC��
- 19+��
- 5660��
- ֻ��ԭ�b��
-


BR93C76-WMN6TP PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�ROHM[Rohm]
- PDF�������318.98 Kbytes
- PDF��(y��)��(sh��)����6�(y��)
- ������Supply voltage 2.5V~5.5V/Operating temperature -40C~85C type
BR93C76-WMN6TP���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- ������:ROHM Semiconductor
- �a(ch��n)Ʒ�N�(l��i):늿ɲ����ɾ���ֻ�x�惦(ch��)��
- RoHS:��
- ���b�L(f��ng)��:SMD/SMT
- �惦(ch��)����:8 kbit
- �M��:512 x 16
- �ӿ��(l��i)��:Serial, 3-Wire, Microwire
- ��(sh��)��(j��)����:40 Year
- ���r(sh��)��l��:2 MHz
- �Դ��������ֵ:2 mA
- �Դ늉�-��С:2.5 V
- �Դ늉�-���:5.5 V
- ��С�����ض�:- 40 C
- ������ض�:+ 85 C
- ���b:Reel
- �߶�:1.5 mm (Max)
- �L(zh��ng)��:5 mm (Max)
- ����:4 mm (Max)
- �̘�(bi��o):ROHM Semiconductor
- �����Դ���:2 mA
- �����Դ늉�:3.3 V, 5 V
- �a(ch��n)Ʒ�(l��i)��:EEPROM
- ���S���b��(sh��)��:2500
- ���(l��i)�e:Memory & Data Storage
- ���̖(h��o)�e��:BR93C76-WMN6TP
ُ(g��u)�I(m��i)����ԃ(x��n)�a(ch��n)ƷՈ(q��ng)?zh��)�?xi��)ԃ(x��n)�r(ji��)��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
BR93C76-WMN6TP���P(gu��n)��̖(h��o)